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1 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 ulapproved(e83335) vorl?ufigedaten/preliminarydata v ces = 1200v i c nom = 25a / i crm = 50a typischeanwendungen typicalapplications ? ? 3-level-applikationen 3-level-applications ? ? solaranwendungen solarapplications elektrischeeigenschaften electricalfeatures ? ? niederinduktivesdesign lowinductivedesign ? ? niedrigeschaltverluste lowswitchinglosses ? ? niedrigesv cesat lowv cesat mechanischeeigenschaften mechanicalfeatures ? ? al 2 o 3 substrat mit kleinem thermischen widerstand al 2 o 3 substratewithlowthermalresistance ? ? kompaktesdesign compactdesign ? ? pressfitverbindungstechnik pressfitcontacttechnology ? ? robuste montage durch integrierte befestigungsklammern rugged mounting due to integrated mounting clamps modulelabelcode barcodecode128 dmx-code contentofthecode digit moduleserialnumber 1-5 modulematerialnumber 6-11 productionordernumber 12-19 datecode(productionyear) 20-21 datecode(productionweek) 22-23 j
2 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,t1/t4/igbt,t1/t4 h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 100c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 25 45 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 50 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 215 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v v ce sat 1,85 2,15 2,25 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,80 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,20 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 1,45 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,05 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 10 w t d on 0,035 0,035 0,035 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 10 w t r 0,014 0,018 0,019 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 10 w t d off 0,215 0,275 0,285 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 10 w t f 0,056 0,08 0,09 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, di/dt = 1600 a/s (t vj = 150c) r gon = 10 w e on 0,30 0,50 0,56 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, du/dt = 2500 v/s (t vj = 150c) r goff = 10 w e off 1,00 1,40 1,50 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 800 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 90 a t vj = 150c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,65 0,70 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,70 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c j
3 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,d2/d3/diode,d2/d3 h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 650 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 25 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 50 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 130 115 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v v f 1,35 1,30 1,25 t.b.d. v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 25 a, - di f /dt = 1600 a/s (t vj =150c) v r = 350 v i rm 24,0 28,0 30,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 25 a, - di f /dt = 1600 a/s (t vj =150c) v r = 350 v q r 1,20 1,60 1,65 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 25 a, - di f /dt = 1600 a/s (t vj =150c) v r = 350 v e rec 0,22 0,32 0,39 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,10 1,20 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,75 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c j
4 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,t2/t3/igbt,t2/t3 h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 650 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 175c t c = 25c, t vj max = 175c i c nom i c 30 45 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 60 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 175c p tot 150 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 30 a, v ge = 15 v i c = 30 a, v ge = 15 v i c = 30 a, v ge = 15 v v ce sat 1,55 1,70 1,80 2,00 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,30 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 4,9 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,30 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 1,65 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,051 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 650 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 1,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 100 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 30 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 10 w t d on 0,028 0,028 0,028 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 30 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r gon = 10 w t r 0,01 0,013 0,014 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 30 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 10 w t d off 0,22 0,235 0,24 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 30 a, v ce = 350 v v ge = 15 v r goff = 10 w t f 0,055 0,067 0,07 s s s t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 30 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, di/dt = 2200 a/s (t vj = 150c) r gon = 10 w e on 0,47 0,63 0,70 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 30 a, v ce = 350 v, l s = 40 nh v ge = 15 v, du/dt = 4000 v/s (t vj = 150c) r goff = 10 w e off 0,82 1,00 1,10 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 360 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 210 150 a a t vj = 25c t vj = 150c t p 8 s, t p 6 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,90 1,00 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink proigbt/perigbt l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,85 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c j
5 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,d1/d4/diode,d1/d4 h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 25 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 50 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 90,0 75,0 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v v f 1,75 1,75 1,75 2,25 v v v t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 25 a, - di f /dt = 1850 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v i rm 66,0 70,0 70,0 a a a t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 25 a, - di f /dt = 1850 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v q r 1,75 3,50 4,00 c c c t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 25 a, - di f /dt = 1850 a/s (t vj =150c) v r = 350 v v ge = -15 v e rec 0,63 1,10 1,15 mj mj mj t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 0,95 1,05 k/w w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,85 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 150 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 3411 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 3433 k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote. j
6 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) ai 2 o 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 200 min. typ. max. modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 30 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 5,00 6,00 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anpresskraft fr mech. bef. pro feder mountig force per clamp f 40 - 80 n gewicht weight g 24 g der strom im dauerbetrieb ist auf 25a effektiv pro anschlusspin begrenzt. the current under continuous operation is limited to 25a rms per connector pin. j
7 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,t1/t4(typisch) outputcharacteristicigbt,t1/t4(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c ausgangskennlinienfeldigbt,t1/t4(typisch) outputcharacteristicigbt,t1/t4(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,t1/t4(typisch) transfercharacteristicigbt,t1/t4(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,t1/t4(typisch) switchinglossesigbt,t1/t4(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =10 w ,r goff =10 w ,v ce =350v i c [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c j
8 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,t1/t4(typisch) switchinglossesigbt,t1/t4(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =25a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c transienterw?rmewiderstandigbt,t1/t4 transientthermalimpedanceigbt,t1/t4 z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,078 0,0005 2 0,181 0,005 3 0,547 0,05 4 0,544 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,t1/t4(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,t1/t4(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =10 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,d2/d3(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d2/d3(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c j
9 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,d2/d3(typisch) switchinglossesdiode,d2/d3(typical) e rec =f(i f ) r gon =10 w ,v ce =350v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c schaltverlustediode,d2/d3(typisch) switchinglossesdiode,d2/d3(typical) e rec =f(r g ) i f =25a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,d2/d3 transientthermalimpedancediode,d2/d3 z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,344 0,0005 2 0,426 0,005 3 0,657 0,05 4 0,423 0,2 ausgangskennlinieigbt,t2/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t2/t3(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 10 20 30 40 50 60 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c j
10 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinienfeldigbt,t2/t3(typisch) outputcharacteristicigbt,t2/t3(typical) i c =f(v ce ) t vj =150c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 10 20 30 40 50 60 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,t2/t3(typisch) transfercharacteristicigbt,t2/t3(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40 50 60 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlusteigbt,t2/t3(typisch) switchinglossesigbt,t2/t3(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =10 w ,r goff =10 w ,v ce =350v i c [a] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c schaltverlusteigbt,t2/t3(typisch) switchinglossesigbt,t2/t3(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =30a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c e on , t vj = 150c e off , t vj = 150c j
11 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata transienterw?rmewiderstandigbt,t2/t3 transientthermalimpedanceigbt,t2/t3 z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,142 0,0005 2 0,309 0,005 3 0,719 0,05 4 0,58 0,2 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,t2/t3(rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,t2/t3(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =10 w ,t vj =150c v ce [v] i c [a] 0 100 200 300 400 500 600 700 0 10 20 30 40 50 60 70 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,d1/d4(typisch) forwardcharacteristicofdiode,d1/d4(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c t vj = 150c schaltverlustediode,d1/d4(typisch) switchinglossesdiode,d1/d4(typical) e rec =f(i f ) r gon =10 w ,v ce =350v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c j
12 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,d1/d4(typisch) switchinglossesdiode,d1/d4(typical) e rec =f(r g ) i f =25a,v ce =350v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 e rec , t vj = 125c e rec , t vj = 150c transienterw?rmewiderstanddiode,d1/d4 transientthermalimpedancediode,d1/d4 z thjh =f(t) t [s] z thjh [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,1 1 10 z thjh : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,15 0,0005 2 0,323 0,005 3 0,739 0,05 4 0,588 0,2 ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ j
13 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines j j in fin e o n
14 technischeinformation/technicalinformation f3l25r12w1t4_b27 igbt-module igbt-modules preparedby:cm approvedby:mb dateofpublication:2013-11-25 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. j j in fin e o n

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